生产光刻机的洁净室对环境洁净度要求特别高,光刻机的部件在生产和装配时都需要控制particle,要确保每个部件上没有particle,上海路阳生产的大功率LED黑光灯,能够激发paiticle发出明亮蓝色荧光,检查人员在上海路阳的黑光灯下能够检测工件表面的有没有particle存在。LUYOR-365L便携式高强度手电筒式黑光灯采用可充电的锂电池供电,携带方便,能够对光刻机的大型部件的每个部位进行检测,LUYOR-3405台式LED高强度黑光灯采用台式设计,高度和照射角度一定范围内可任意调节,适合对光刻机的小部件以及光刻机的配套厂家进行大批量长时间检测。目前,LUYOR-365L手电筒式黑光灯和LUYOR-3405台式黑光灯被多家光刻机行业用户认可和选购。
1.上海微电子装备有限公司(SMEE)
上海微电成立于2002年3月,是我国国内能够做光刻机的企业。目前,更先进的光刻机是ASML的极紫外光刻(EUV),用于7nm、5nm光刻技术,对于EUV光刻关键技术,国外进行了严重的技术封锁。我国在2017年,多个科研单位合作经过7年的潜心钻研,突破了EUV关键技术。根据相关资料披露,计划2030年实现EUV光刻机国产化。
上海微电子设备公司已生产出90纳米的光刻机设备,这也是生产国产光刻机的更高技术水平,比ASML公司差不多有10年的差距。因为西方有签协议,芯片核心部件材料不能出口到中国,实施封锁政策,导致国产光刻机发展缓慢,上海微电子克服困难自己生产这些零部件。目前生产出来的光刻设备已用到很多的国产企业中,而且也在对封锁进行联合公关,相信不久就可以向45nm、28nm迈进。
2.中科院光电所
中科院光电所研发出365纳米波长,曝光分辨率达到22纳米的光刻机,是近紫外的光线,离极紫外还有一点差距。光刻机的波长决定了芯片工艺的大小,波长越短,造价越高。像ASML更先进的EUV极紫外光刻机,波长只有13.5纳米,可以生产10nm、7nm的芯片。现在一般使用的是193纳米波长的光刻机,分辨率却只有38纳米,而中科院研发的光刻机采用了双重曝光的技术,可以达到22纳米。不过相关专业人士也指出,这种技术只能做短周期的点线光刻,无法满足芯片的复杂图形,后续还在不断优化和改进中。
3.合肥芯硕半导体有限公司
合肥芯硕半导体有限公司成立与2006年4月,是国内半导体直写光刻设备制造商。该公司自主研发的ATD4000,已经实现更高200nm的量产。不过按照目前***新消息其已经申请破产清算,主要是光刻机对研发的投入资金是在太大,又没有成熟的产品面向市场,终究难免面临倒闭的风险。上海微电子也是通过快速占领光刻后道工艺技术,迅速占领国内80%市场份额,才得以生存。
4.无锡影速半导体科技有限公司
无锡影速成立于2015年1月,影速公司是由中科院微电子研究所联合业内子技术团队、产业基金共同发起成立的专业微电子装备高科技企业。该公司已经成功研制用于半导体领域的激光直写/制版光刻设备,已经实现更高200nm的量产。
5.先腾光电科技有限公司
先腾光电成立于2013年4月,已经实现更高200nm的量产,在2014国际半导体设备及材料展览会上,先腾光电亮出了完全自主知识产权的LED光刻机生产技术。